Modélisation à l'échelle atomique des défauts étendus dans les semi-conducteurs nitrures à large énergie de bande interdite, notamment le nitrure de gallium (GaN)
Statut: En cours
Details: Les travaux de cette thématique ont eu but pour objectif de contribuer à l’interprétation des résultats de microscopie HRTEM sur ces matériaux par une équipe du laboratoire. A cette période, de nombreux travaux expérimentaux étaient conduit au regard de l’intérêt de ces matériaux pour les applications optoélectroniques. Comme résultats de ces travaux : (a) un potentiel empirique de type Stillinger-Weber pour GaN a été développé ; (b) les défauts étendus de GaN ont été étudiés, notamment (b1) les structures atomiques de cœurs de la dislocation coin a ⃑ et de la dislocation vis c ⃑ et de leur stabilité relative; (b2) les structures atomiques de cœurs de nombreux joints de grains et de leur stabilité relative ; (b3) les diagrammes de phase des alliages ternaires et quaternaires des binaires AlN, GaN et InN ; (c) les structures électroniques associées aux structures atomiques des dislocations et des joints de grains avec le code DFTB-SCC développé par l’équipe du Professeur Thomas Frauenheim de l’Université de Paderborn (Allemagne) ont été décrites.
Mots clés : Modélisation atomistique, semiconducteurs III-N, GaN, dislocations, joints de grains, lacune, interstitiel, structure électronique, structure atomique, coeurs de dislocation
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