Influence de l’épaisseur de la couche tampon et de la température sur les propriétés d’une photopile en couches minces à base de CIGS.,
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Auteur(s): Marcel B. KEBRE, François ZOUGMORE, Daouda OUBDA, Soumaila OUEDRAOGO, Zacharie KOALAGA.
Auteur(s) tagués: Bawindsom Marcel KEBRE ;
Résumé

Dans ce travail, nous utilisons le logiciel de simulation SCAPS-1D pour l’optimisation des performances d’une cellule
solaire de type Mo/Cu(In,Ga)Se2/CdS/ZnO/. Plus particulièrement nous nous intéressons à l’influence de l’épaisseur de la
couche tampon CdS et de la température extérieure sur les performances électriques et énergétiques de la cellule.
Avec un absorbeur CuIn0.7Ga0.3Se2 nous présentons l’effet de la variation de l’épaisseur et de la température sur les
paramètres électriques (tension en circuit ouvert VOC, l’intensité de court-circuit JSC, le facteur de forme FF et le
rendement de la conversion 􀈘) et de la réponse spectrale. Nous analysons les limites fondamentales d’une couche
tampon de CdS pour de haut rendement à partir de la réponse spectrale. Nous identifions aussi quelques paramètres des
matériaux à partir de l’étude de l’influence de la température. Une cellule ayant une fine couche tampon (épaisseur
comprise entre 10 et 50 nm) est optimale dans le domaine des températures d’utilisation des plaques (270 à 350 K).

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