L’objectif de ce travail est d’étudier, à 3-D, l’influence des pertes d’électrons sur les performances d’une cellule PV au silicium polycristallin. Les équations de transport des électrons ont été résolu en prenant en compte le taux d’électrons perdus à la jonction (Sf0) afin d’obtenir l’expression de la densité des électrons qui a conduit à la détermination des expressions des paramètres électriques (Jph, Vph, P) puis celles des paramètres de performance (η, Rsh) du grain de cellule PV. Ensuite nous avons analysé, à partir d’une simulation numérique, les effets du taux d’électrons perdus à la jonction (Sf0) sur les paramètres de performance (η, Rsh) obtenus à partir des courbes de puissance électrique transmise en fonction de la vitesse de diffusion PT (Sfj).
Les résultats des simulations ont montré qu’en circuit ouvert on a une fuite de courant à la jonction du grain de cellule PV dont la densité croit de 0 mA.cm-2 à 58,80 mA.cm-2 entrainant une chute drastique de la résistance shunt de l’infini à 4,273 Ω.cm-2et une baisse du rendement de conversion de 34,376%. En considérant les normes des fabricants, 20% de baisse du rendement, alors pour Sf0 = 1,790×104 cm.s-1 la cellule PV est dégradée.

Cellule PV degradation courant de fuite perte d’électrons