Nous présentons dans cet article une méthode de détermination des paramètres électriques d’une photopile monofaciale au silicium en régime dynamique fréquentiel sous éclairement monochromatique. A partir de la représentation de Nyquist de l’impédance dynamique de la photopile, nous déterminons la résistance série Rs et la résistance shunt Rsh de la photopile. Les diagrammes de Bode de l’impédance dynamique nous permettent de déterminer les pulsations de coupure à partir desquelles nous déduisons la capacité équivalente de la photopile et elles nous permettent également de proposer un modèle électrique équivalent de la photopile. Ce modèle électrique équivalent de la photopile permet d’extraire l’inductance équivalente de la photopile.

Photopile impédance diagramme de Bode représentation de Nyquist résistance série résistance shunt inductance capacité phase