Dans cet article, nous présentons une modélisation à 3 dimensions de l’influence de la taille de grains, de la vitesse de recombinaison aux joints de grain et du champ électrique de gradient de concentration sur la distributions des porteurs de charge (électrons), les paramètres électriques (Jph, Vph, Pél) et électronique (Sb) d’une photopile
au silicium polycristallin soumise à un éclairement multispectral intense. En effet, la prise en compte du champ électrique de gradient de concentration dans un modèle d’étude à 3-D nous a permis non seulement d’établir de nouvelles expressions de l’équation de continuité, du photo courant, de la photo tension, de la vitesse de recombinaison en face arrière de la base et de la puissance électrique, mais aussi elle nous a permis d’étudier
l’influence de la taille de grain et de la vitesse de recombinaison en face arrière de la base sur ces paramètres précédemment cités.

Silicium polycristallin Champ électrique Eclairement intense Photo courant Photo tension Vitesse de recombinaison Puissance électrique